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DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory随机存贮器)是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储单元地址无关的可以读写的存储器。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中，都是采用RAM作为主存。
在系统内部，RAM是仅次于CPU的最重要的器件之一。它们之间的关系，就如人的大脑中思维与记忆的关系一样，实际上是密不可分的。但在计算机内部，它们却是完全独立的器件，沿着各自的道路向前发展。第一代个人电脑的CPU8088时钟频率还不到IOMHZ，而现在高档的Pentium Pro CPU的时钟频率已达到2GHz甚至更高。在CPU和RAM之间有一条高速数据通道，CPU所要处理的数据和指令必须先放到RAM中等待.而CPU也把大部分正在处理的中间数据暂时放置在RAM中，这就要求RAM和CPU之间的速度保持匹配。
然而遗憾的是，这些年来，虽然半导体设计制造工艺越来越先进，单个芯片内部能集成的存贮单元越来越多，但是R人M的绝对存取速度并没有明显地提高。
基本原理：
DRAM (Dynamic RAM)即动态RAM，是RAM家族中最大的成员，通常所讲的RAM即指DRAM. DRAM由晶体管和小容f电容存储单元组成。每个存储单元都有一小的蚀刻晶体管，这个晶体管通过小电容的电荷保持存储状态，即开和关。电容类似于小充电电池。它可以用电压充电以代表1，放电后代表0，但是被充电的电容会因放电而丢掉电荷，所以它们必须由一新电荷持续地“刷新气。
下图所示的是标准的DRAM结构的框架图，和SRAM不同的是，标准DRAM的地址线分成两组以减少输入地址引脚的数量，提高封装的效率。虽然在标准的DRAM结构中，输入地址引脚的数量可以通过安排多元的地址方式来减少，但是这样的话，标准DRAM存储单元的时钟控制就会变得更加复杂，同时运行速度会受到影响。为了满足对于高速DRAM应用的需求，一般都用分开的地址输入引脚来减少时钟控制的复杂性和提高运行速度。
DRAM的控制器提供行地址选通脉冲-M (Row Address Strobe)和列地址选通脉冲CAS(Column Address Strobe)来锁定行地址和列地址。正如图所示，标准DRAM的引脚为:
地址&: 分成两组，行地址引脚，列地址引脚；
地址控制信号引脚:RAS和CAS；
写允许信号:WRITE;
数据输入/输出引脚;
电源引脚。
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我在CPU-Z里面的的.内存.选项里看到DRAM频率是385.1MHZ是什么意思??
周期啊&#92?...?.?;都不一样?.?我用的512KB的宽带.怎么是这样啊.因为都是Kingston的厂家&#47.?,除了电压?双通道在SPD里看是一个是333MHZ 一个是400MHZ而且那些延迟啊&#92..?这样的状态是不是影响我速度的直接原因.下载东西的时候 开个网页都卡的不得了.;/&#47?.我是不是被商家欺骗了啊;&#47.;;预充点啊&#92
提问者采纳
网线质量;8=64kB per second，可能（1）你内存和前端总线是同步的（intel）造成的.385，你内存超频了5，前端总线192MHZ，400的会自动降至333和333组成双通道.高频率的内存降频时.1MHZ说明你内存不是在标准频率下运作,网络阻塞，网线长度==：2的话，病毒：电脑卡，参数是一样的4。（2）异步的情况下.网络卡有很多因素。2.我认为你的带宽是512kbit吧，预读也会减少，影响这个的有很多。7，也就是说，如果两个内存电气和品质是一样的话,512Kbit其实只有512&#47，现在内存双通道自动根据低频率的来组合，而不是512KB，当然这个影响只有发烧友才会去注意3，延迟.解决的办法是将内存频率固定在166*2上6,就会使内存频率达到380左右1，如果同步1，ISP，都在333时.延迟等参数也不会影响，也就是说，频率越高的内存延迟越高.不会
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其他1条回答
512KB的网速很慢。如果包装和实际不一样的话，你可以找厂商问一下呀。内存直接影响到你的电脑反应速度
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DRAM模块,DRAM模块是什么意思
DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。
所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图：
上图只是DRAM一个基本单位的结构示意图：电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约0.2-0.18微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1％的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。 SRAM，静态（Static）RAM不存在刷新的问题，一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题。
SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上，而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据，而DRAM却需要3到9个时钟周期（这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间）。
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计算机BIOS设置中DRAM Configuration和LDT &PCI Bus control还有IGX Configuration各是什么意思
DRAM Configuration
是 内存时序设置。IGX Configuration 这个是设置显卡的频率的，如果你不了解，建议不要随便修改。LDT &PCI Bus control
。LDT 就是HyperTransport频率调整：200，400，600，800，1000（MHz）。PCI是Peripheral Component Interconnect(外设部件互连标准)的缩写，它是目前个人电脑 中使用最为广泛的接口 。意思就是
LDT和PCI的控制总线。
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