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这一革命性的功率MOSFET将新的垂直结構与公司的带状布局相结合
并将降低的导通电阻和快速开关的所有优势与固有的快速恢复体二极管相结合
因此强烈建议桥式拓扑结构,特别是ZVS相移转换器
■快速恢复二极管器件中全球最佳的RDS(on)*区域
■低输入电容和栅极电荷
■极高的dv / dt和雪崩功能
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