上的薄膜电容器可允许的热暴露載荷主要特征在于由上部cate-

长期暴露于温度高于该类型相关的温度限制

可导致变化的塑料绝缘体，从而不可逆地改变一个电容的电

的特点对短曝光（如，在实际焊接工艺）的热负荷（因而

上的电容器可能产生的影响）还取决于其他因素，如：

直径长度，热电阻特殊配置（例如卷边）

电容器上述焊料浴的高度

由邻近的组件额外的加热，由于散热

这其中的一些因素相关联的过热通常可通过合适的国家减尐

termeasures 例如，如果不能避免的预加热工序中附加的或增强的

冷却过程中可能必须被包括在内。

爱普科斯（EPCOS）建议采用以下条件：

预加热用110嘚最大温度

电容内部温度不应超过以下限额：

当SMD元件一起使用含铅的人使用含铅薄膜电容器应

没有通入SMD胶粘剂固化炉。含铅零部件应装配自动对焦

含铅薄膜电容器不适合回流焊接

对于无涂层MKT电容与铅间距