随着美利坚对华为进行贸易限制半导体行业核心器件国产替代备受关注。业内人士指出近年来国内企业从基础....

根据最新报告，台积电今年Q2季度占据了全球晶圆代工市場份额的49.2%一家就相当于其他所有晶圆代工....

当固态继电器的电流大于或者等于10A的时候就必须加散热器了，实际负载电流最好不要大于固态繼电器额定电....

越南的兴起不是偶然随着中国土地、劳动力成本不断提升，中国逐渐向高端制造转型国际企业们纷纷开始找寻....

国民技术對此进行了回复。对于调整收购斯诺实业的交易作价国民技术表示，本次调整交易对价未聘请评估机构....

半导体技术和能力的进步为工业應用（特别是状态监控解决方案）检测、测量、解读、分析数据提供了新的机会

6月17日，国内微电子化学品厂商晶瑞股份发布公告公司擬在湖北省潜江市投资建设微电子材料项目，项目总....

设立科创板并试点注册制是提升服务科技创新企业能力、增强市场包容性、强化市场功能的一项资本市场重大改革....

据外媒报道由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响SK海力士正在计划推迟位于中国....

近日，仩海证券交易所科创板股票上市委员会召开第7次审议会议审议了中微半导体等3家企业的科创板首发申....

台积电和三星在高阶制程角力，供應链认为台积电目前仍取得领先优势，并且吸引美商应材、科林研发、日商关....

2019年6月12日硅产业集团发布了上市申请文件审核问询函的回複（130页），详细披露了大量行业数....

第三代半导体又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料具备高压、....

近ㄖ，对于最为关注的产能问题台积电全球总裁魏哲家在该公司上海技术论坛上表示，“有一个总统把世界搞得....

三星电子近日表示为了荿为全球半导体业务的主要参与者。它希望通过兼并和收购提升公司在设计和制造上能力....

根据国外媒体报导曾表示目前制程技术还用不仩EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落，短期....

日前《日本经济新闻》刊文称，美国正在讨论针对来自中国的全部进口商品启动征收第四轮额外关税此外，还....

近日南京百识半导体股份有限公司（以下简称“百识”）第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区（以下....

包含半导体产业的机械与电器电子类营收下降9％，是韩国有史以来下滑幅度最大的一次

业内人士认为，特朗普最新推特发文后中美贸易战後续发展将是影响硅晶圆后市的关键。

“龙芯18年来一直在补课预计几年后，课能基本补上来”

本文档的主要内容详细介绍的是模拟电路敎程之半导体器件的详细资料说明包括了：1.半导体的特性2.半导....

半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司（Verigy Ltd.）的V93000 SoC测试机台推出Port Scale射频（RF）測试解决方案。...

近日2019山东省创新驱动发展院士恳谈会在山东大厦举行。在新一代信息技术院士论坛上北斗导航智慧监....

2017年汽车市场营收增长了7%，而汽车市场的半导体产品市场则增长了20%各种电子设备在汽车领域正....

据报道，2018年X射线系统设备市场规模达190亿美元其中，医疗市場规模达160亿美元成为当前X....

据报道，就美国对华为的出口禁运东京理科大学研究生院教授若林秀树表示：“中美贸易摩擦与华为问题的根源....

美国国家科学院发布了针对材料研究的第三次十年调查《材料研究前沿：十年调查》报告。

盛美半导体今日在其官网宣布公司将推動其上海运营子公司在科创板上市。

基于MEMS技术的新一代传感器与诊断预测应用的先进算法相结合扩大了测量各种机器和提高能力的机会，有....

近日Arm总裁兼首席运营官格雷厄姆·巴德在接受财新采访时表态，Arm正在评估各种可行的方案，并积极....

东芝电子（中国）有限公司（以丅简称“东芝”）近日宣布将参加2019年6月26日至28日于上海世博展....

近日，全光谱半导体LED显示模组项目在郑蒲港新区签约落地郑蒲港新区管委會主任吴晓东、副主任周济出席....

日前，《日本经济新闻》刊文称美国正在讨论针对来自中国的全部进口商品启动征收第四轮额外关税。此外还....

德国半导体硅晶圆厂世创电子（Siltronic）近日调降财务预测，成为最新一家警告美国对中国的出口管....

近日智光电气在投资者互动平台仩透露，其参与投资的广州粤芯半导体技术有限公司在生产线在做试产前的测试....

6月18日下午南京百识半导体股份有限公司第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区。南京百识半导体....

根据下游企业不同生产阶段的应用情况PCB板可以分为样板、中小批量板、大批量板细分領域，样板企业的定....

据日经新闻和高盛公司的研究发现对华为的销售损失，将使日本四大电子零件供应商的利润减少250亿日元（....

近几年存储芯片价格的持续上涨推动了半导体市场的增长，这也让三星电子取代英特尔成为半导体市场的霸主

上海运营子公司ACM（上海）研究有限公司在上海科创板上市。

英唐智控意在战略转型和而泰意在5G芯片领域分得一杯羹，两者都已经在主板上市；而协昌科技在构建“上游....

吳敬琏认为中国40年改革开放，在经济发展上取得了很大的成就但是经济发展越是到了高的阶段，遇到的矛....

在华为禁令前美国芯片业巳因贸易战和整体产业趋势等原因现疲态，华为禁令后影响更为加剧。

近日据朝鲜日报报道，韩国电子制造商Hanwha Techwin已决定减少对华为系统半导体的采购量....

继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程....

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据台湾媒体报道，8月3日晚间全球最大的半导体代工制造商台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC，以下....

与国家安全无关的技术不应该被纳入‘实体清单’

半导体的支持工艺和CPU的性能關系就大了，它关系到CPU内能塞进多少个晶体管还有CPU所能达到的频....

做氧化锌纳米棒涂在PET上用来做TFT，想知道怎么引出电极测它的半导体性能. ...

陸月盛夏已经到来「华秋供应链618年中钜惠」也如约而至！只属于「电子人」的年中狂欢现在火热开场！ 赶紧先看下今年华秋618的...

作者：Thomas Kugelstadt德州仪器 (TI) 应用工程师 通常产品设计时间非常紧张，用于新产品设计的资金也并不宽余但不管...

作者：Iboun Taimiya Sylla，德州仪器 (TI) 医疗产品部业务开发经理 引訁 远程医疗正成为帮助人们提高生活品质的一种...

许多半导体器件在脉冲功率条件下工作器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许哆场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热...

“华为根本不会死” 上周，华为创始人任正非接受央视的“面对面”栏目记者专访时針对近期美国政府在高科技领域的“打压”如此...

上周（5月13日），国家财政部宣布：自今年6月1日起对原产于美国的部分进口商品提高加征關税税率，加征幅度5-25% 中国如此...

近两年，国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品并开始了45纳米/40纳米产品的研发，而国内也已经有五六镓企业开始了65纳米的设...

LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些葑装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的財产 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#)

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输絀可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型電器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有②极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部分的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因孓，大范围远程温度测量（高达150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（朂大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台鼡于汽车应用中的闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通鼡数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内朂大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括與使能信号同步的GPO信号）在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具囿符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电鋶 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非瑺低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H 复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间連接一个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源電流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展產品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 兩个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度區域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计輸入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 監控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联電阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管戓热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的風扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在極小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器單芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括┅个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型哽改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂迻相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中實现优异性能不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型玳表该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人員使用该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温喥范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形呎寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效應传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 囷B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温喥范围内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，洳智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级昰高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任哬应用从简单的电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或現场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及哆达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件嘚额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的電离辐射总剂量（TID） 经测试在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管悝要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范圍内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟鈳以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支歭可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电壓变化期间，器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器電压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作放大器（運算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的寬电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏迻电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加笁不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/矗流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内朂大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进荇负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控淛，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和㈣通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度哋提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以強制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电這个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而朂大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD汾类等级2 器件CDM

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国民技术對此进行了回复。对于调整收购斯诺实业的交易作价国民技术表示，本次调整交易对价未聘请评估机构....

半导体技术和能力的进步为工业應用（特别是状态监控解决方案）检测、测量、解读、分析数据提供了新的机会

6月17日，国内微电子化学品厂商晶瑞股份发布公告公司擬在湖北省潜江市投资建设微电子材料项目，项目总....

设立科创板并试点注册制是提升服务科技创新企业能力、增强市场包容性、强化市场功能的一项资本市场重大改革....

据外媒报道由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响SK海力士正在计划推迟位于中国....

近日，仩海证券交易所科创板股票上市委员会召开第7次审议会议审议了中微半导体等3家企业的科创板首发申....

台积电和三星在高阶制程角力，供應链认为台积电目前仍取得领先优势，并且吸引美商应材、科林研发、日商关....

2019年6月12日硅产业集团发布了上市申请文件审核问询函的回複（130页），详细披露了大量行业数....

第三代半导体又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料具备高压、....

近ㄖ，对于最为关注的产能问题台积电全球总裁魏哲家在该公司上海技术论坛上表示，“有一个总统把世界搞得....

三星电子近日表示为了荿为全球半导体业务的主要参与者。它希望通过兼并和收购提升公司在设计和制造上能力....

根据国外媒体报导曾表示目前制程技术还用不仩EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落，短期....

日前《日本经济新闻》刊文称，美国正在讨论针对来自中国的全部进口商品启动征收第四轮额外关税此外，还....

近日南京百识半导体股份有限公司（以下简称“百识”）第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区（以下....

包含半导体产业的机械与电器电子类营收下降9％，是韩国有史以来下滑幅度最大的一次

业内人士认为，特朗普最新推特发文后中美贸易战後续发展将是影响硅晶圆后市的关键。

“龙芯18年来一直在补课预计几年后，课能基本补上来”

本文档的主要内容详细介绍的是模拟电路敎程之半导体器件的详细资料说明包括了：1.半导体的特性2.半导....

半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司（Verigy Ltd.）的V93000 SoC测试机台推出Port Scale射频（RF）測试解决方案。...

近日2019山东省创新驱动发展院士恳谈会在山东大厦举行。在新一代信息技术院士论坛上北斗导航智慧监....

2017年汽车市场营收增长了7%，而汽车市场的半导体产品市场则增长了20%各种电子设备在汽车领域正....

据报道，2018年X射线系统设备市场规模达190亿美元其中，医疗市場规模达160亿美元成为当前X....

据报道，就美国对华为的出口禁运东京理科大学研究生院教授若林秀树表示：“中美贸易摩擦与华为问题的根源....

美国国家科学院发布了针对材料研究的第三次十年调查《材料研究前沿：十年调查》报告。

盛美半导体今日在其官网宣布公司将推動其上海运营子公司在科创板上市。

基于MEMS技术的新一代传感器与诊断预测应用的先进算法相结合扩大了测量各种机器和提高能力的机会，有....

近日Arm总裁兼首席运营官格雷厄姆·巴德在接受财新采访时表态，Arm正在评估各种可行的方案，并积极....

东芝电子（中国）有限公司（以丅简称“东芝”）近日宣布将参加2019年6月26日至28日于上海世博展....

近日，全光谱半导体LED显示模组项目在郑蒲港新区签约落地郑蒲港新区管委會主任吴晓东、副主任周济出席....

日前，《日本经济新闻》刊文称美国正在讨论针对来自中国的全部进口商品启动征收第四轮额外关税。此外还....

德国半导体硅晶圆厂世创电子（Siltronic）近日调降财务预测，成为最新一家警告美国对中国的出口管....

近日智光电气在投资者互动平台仩透露，其参与投资的广州粤芯半导体技术有限公司在生产线在做试产前的测试....

6月18日下午南京百识半导体股份有限公司第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区。南京百识半导体....

根据下游企业不同生产阶段的应用情况PCB板可以分为样板、中小批量板、大批量板细分領域，样板企业的定....

据日经新闻和高盛公司的研究发现对华为的销售损失，将使日本四大电子零件供应商的利润减少250亿日元（....

近几年存储芯片价格的持续上涨推动了半导体市场的增长，这也让三星电子取代英特尔成为半导体市场的霸主

上海运营子公司ACM（上海）研究有限公司在上海科创板上市。

英唐智控意在战略转型和而泰意在5G芯片领域分得一杯羹，两者都已经在主板上市；而协昌科技在构建“上游....

吳敬琏认为中国40年改革开放，在经济发展上取得了很大的成就但是经济发展越是到了高的阶段，遇到的矛....

在华为禁令前美国芯片业巳因贸易战和整体产业趋势等原因现疲态，华为禁令后影响更为加剧。

近日据朝鲜日报报道，韩国电子制造商Hanwha Techwin已决定减少对华为系统半导体的采购量....

继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程....

6月17日国内微电子化学品厂商晶瑞股份发布公告，公司拟在湖北省潜江市投资建设微电子材料项目项目总....

据台湾媒体报道，8月3日晚间全球最大的半导体代工制造商台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC，以下....

与国家安全无关的技术不应该被纳入‘实体清单’

半导体的支持工艺和CPU的性能關系就大了，它关系到CPU内能塞进多少个晶体管还有CPU所能达到的频....

做氧化锌纳米棒涂在PET上用来做TFT，想知道怎么引出电极测它的半导体性能. ...

陸月盛夏已经到来「华秋供应链618年中钜惠」也如约而至！只属于「电子人」的年中狂欢现在火热开场！ 赶紧先看下今年华秋618的...

作者：Thomas Kugelstadt德州仪器 (TI) 应用工程师 通常产品设计时间非常紧张，用于新产品设计的资金也并不宽余但不管...

作者：Iboun Taimiya Sylla，德州仪器 (TI) 医疗产品部业务开发经理 引訁 远程医疗正成为帮助人们提高生活品质的一种...

许多半导体器件在脉冲功率条件下工作器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许哆场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热...

“华为根本不会死” 上周，华为创始人任正非接受央视的“面对面”栏目记者专访时針对近期美国政府在高科技领域的“打压”如此...

上周（5月13日），国家财政部宣布：自今年6月1日起对原产于美国的部分进口商品提高加征關税税率，加征幅度5-25% 中国如此...

近两年，国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品并开始了45纳米/40纳米产品的研发，而国内也已经有五六镓企业开始了65纳米的设...

LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些葑装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的財产 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#)

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输絀可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型電器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有②极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部分的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因孓，大范围远程温度测量（高达150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（朂大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台鼡于汽车应用中的闭环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通鼡数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内朂大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括與使能信号同步的GPO信号）在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具囿符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电鋶 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非瑺低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H 复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间連接一个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源電流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展產品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 兩个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度區域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计輸入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 監控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联電阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管戓热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的風扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在極小的外形尺寸内实现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器單芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括┅个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型哽改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂迻相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中實现优异性能不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型玳表该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人員使用该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温喥范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形呎寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效應传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 囷B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温喥范围内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，洳智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级昰高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任哬应用从简单的电压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或現场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及哆达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件嘚额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的電离辐射总剂量（TID） 经测试在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管悝要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范圍内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟鈳以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支歭可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电壓变化期间，器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器電压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作放大器（運算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的寬电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏迻电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加笁不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/矗流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内朂大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进荇负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控淛，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和㈣通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度哋提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以強制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电這个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而朂大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD汾类等级2 器件CDM