磁控溅射薄膜厚度-学术百科-知网空间
磁控溅射薄膜厚度
磁控溅射薄膜厚度
一种真空镀膜的方法。它与蒸发镀膜一样必须在真空镀膜机中进行。...用溅射方式制备出的薄膜具有面积大、厚度均匀等优点，并可使高熔点材料在低温下薄膜化，因此常可制作超导薄膜、磁性薄膜。但因沉积控制复杂和速率太低，只能限于制造厚度数量级为10-
与"磁控溅射薄膜厚度"相关的文献前10条
对平面磁控溅射薄膜厚度分布提出了一种理论计算模型，编制了磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件系统ＭＦＴＤＳ，并用ＭＦＴＤＳ对半球壳形工件内外膜厚分布进行了计算机模拟，在受磁控靶溅蚀区不均
在平面磁控溅射镀膜系统中,薄膜厚度均匀性作为衡量薄膜质量和成膜系统性能的一项重要指标,得到了国内外学者们的广泛研究。本文以膜厚分布的理论模型为出发点,从工艺条件及模型参数两个方面
磁控溅射法是制备薄膜的一种重要方法 ,薄膜厚度分布是影响薄膜性能的一个重要因素。本文根据平面磁控溅射的实际 ,提出了一个较为全面的磁控溅射薄膜厚度分布模型 ,该模型综合考虑靶面溅
采用中频非平衡磁控溅射技术在镜面不锈钢板上制备了ZrN薄膜,通过改变镀膜时间控制ZrN薄膜的厚度。用色差仪测定了不同厚度ZrN薄膜的L*,a*和b*值,绘制出不同厚度ZrN薄膜的
用直流磁控溅射法在室温的Si(100)基底上制备了21～55nm范围内不同厚度的铝膜,并用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了表征。分析结果表明:制备的铝薄膜呈多晶状
薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标。在自行设计的磁控溅射沉积设备上,对薄膜沉积工艺中靶基间距、溅射功率、工作气压对膜厚均匀性的影响进行了研究,由连续光谱椭圆
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚
用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析
建立了一个磁控溅射模型，在几种特殊情况下，给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布，提出了制备大面积薄膜的条件．结果表明：计算机模拟的结果与实验结果和有关文献的结果一致．
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磁控溅射工艺对Mo膜性能的影响_汤清琼
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薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响
【摘要】：采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10-4Ω.cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200~840nm)反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200~840nm波长范围内的平均反射率达43.33%。
【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：
【分类号】：O484【正文快照】：
1引言在高转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜太阳电池中,电池结构[1]一般为SLG/Mo/CIGS/CdS/图1 CIGS太阳电池结构示意图Fig.1 Schematic structure ofCIGS based solar cellsZnO/ZnO∶Al/MgF2/Al-Ni,如图1所示。其中Mo薄膜作为太阳电池的背接触(back contact,BC)层,由于具
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京公网安备75号退火温度对磁控溅射Mo薄膜结构和性能的影响_热处理网
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退火温度对磁控溅射Mo薄膜结构和性能的影响
来源:江苏大学材料科学与工程学院作者:邢明立
采用磁控溅射技术在石英基体上制备了厚度为600nm的Mo薄膜，并在不同温度下(400～900℃)对其进行退火处理。通过XRD、SEM、四探针测试仪对Mo薄膜的结构和性能进行了分析。结果表明，随着退火温度的升高，(110)晶面择优取向特性增强。Mo薄膜在退火温度为800℃时电阻率达到最小值3.56&10-5&O&cm，在900℃退火时薄膜出现宽度约为50nm的微裂纹且薄膜电阻率较大。
铜铟镓硒(CIGS)、铜锌锡硫(CZTS)多元化合物太阳能电池以其较高的光电转化效率、低廉的成本成为薄膜太阳能电池研究的热点。这两种化合物薄膜太阳能电池结构单元中与光吸收层直接接触的背电极材料，要求具有高的热稳定性和机械强度以及低的电阻率和扩散率。金属Mo具有以上特性，被作为化合物薄膜太阳能电池常用的背电极材料。目前，文献报道的Mo薄膜的制备方法主要有化学气相沉积(CVD)、机械研磨、脉冲激光法(PLD)、物理气相沉积(PVD)和溅射镀膜等。溅射镀膜由于具有与基片良好的结合性、纯度高、致密性好、工艺可重复性好、膜厚可控制，且可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜等优点，因而得到了广泛应用。
磁控溅射时高能量的粒子轰击固体靶材表面使其中的原子发射出来，溅射出来的粒子具有较高的能量和速率，在基底上经历从气相到吸附相，再到凝结相的一个相变过程。在此过程中大量原子经过吸附、脱附和表面扩散、迁移、碰撞结合形成稳定晶核。然后再通过吸附使晶核长大成岛状，最后小岛长大后互相联结聚集形成连续薄膜。由此过程形成的薄膜中含有大量空位、气孔等缺陷。薄膜的缺陷对其微观结构有很大的影响，退火处理可以降低缺陷浓度，进而改变薄膜的微观结构。
目前，磁控溅射Mo薄膜的研究主要集中在工艺参数对薄膜结构和性能的影响，镀膜后热处理工艺参数对Mo薄膜结构和性能影响的报道较少。本文采用直流脉冲磁控溅射方法在石英基底上制备了厚度约为600nm的Mo薄膜，研究了退火温度对Mo薄膜组织结构、表面形貌以及电学性能的影响。
1、试验方法
在FJL600E1高真空多功能离子束溅射与磁控镀膜装置上，利用直流磁控溅射方法在石英基底上制备Mo薄膜。基底依次在超声波清洗机中使用丙酮、去离子水、无水乙醇清洗20min，取出后迅速用氮气吹干，放入溅射室。磁控溅射系统本底真空度为1.0&10-5Pa，溅射气体为纯度99.99%的Ar气，溅射气压为0.8Pa。Mo靶纯度为99.95%，尺寸为50mm&5mm。试验前进行10min预溅射以除去靶材表面氧化物及杂质。试验时首先采用120W大功率溅射5min，然后以80W的功率制备厚度约为600nm的薄膜。
制备的薄膜在ZT-12-11型带视窗真空/可控气氛加热炉中进行退火，先将加热炉抽真空至5&10-3Pa，再向加热炉内通高纯氮气至8.0&104Pa，加热前重复上述操作一次。薄膜退火温度分别为400、500、600、700、800、900℃，加热炉升温速率为2℃/min，各退火温度的保温时间均为2h。
薄膜电阻率使用RTS-8型四探针测试系统进行测试计算；薄膜表面形貌使用JSM-7001F型扫描电子显微镜(SEM)检测；薄膜的结构使用D8ADVANCE型X射线衍射仪(XRD)进行表征，CuK&靶，扫描角度2&为10&～90&，扫描步长0.02&，时间常数0.4s。
1)随着退火温度的升高，Mo薄膜(110)晶面择优取向增强，晶体的有序化程度增大，薄膜的结晶程度得到提高。
2)随着退火温度的升高，薄膜晶粒逐渐聚集长大，尺寸明显增大，退火温度达到900℃时出现微裂纹，宽度约为50nm。
3)在400～900℃退火时，Mo薄膜的电阻率随着退火温度的升高而降低，在800℃退火时Mo薄膜电阻率达到最小值3.56&10-5&O&cm，且薄膜更加致密。
4)Mo薄膜合理的退火工艺为800℃保温2h，升温速率2℃/min。直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响--《西南交通大学》2012年硕士论文
直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响
【摘要】：本文主要通过直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上制备金属Mo薄膜,通过调节溅射沉积时间、溅射工作气压、溅射沉积功率和基片衬底温度这一系列溅射工艺参数,探讨溅射工艺条件对薄膜的结构与电性能的影响。对溅射制备的薄膜使用X-射线、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率等测试手段,系统讨论了薄膜的结构和性能的内在关联,并讨论了薄膜的形核生长模式。采用该方法可制备高质量的Mo薄膜,其较优的工艺条件为：沉积功率60W,工作气压为0.1Pa,衬底温度为室温。
不同直流磁控溅射条件制备的Mo薄膜均沿(110)晶面择优取向。通过对沉积时间的调节,发现沉积的薄膜按岛状生长模式生长。当溅射功率为80W时,沉积的Mo薄膜(110)晶面衍射峰强度最高,Mo薄膜结晶最好,薄膜厚度最厚,表面最平整致密；溅射功率为60W沉积的Mo薄膜次之。改变薄膜的沉积工作气压发现,工作气压为0.1Pa沉积的薄膜(110)晶面衍射峰强度最高,Mo薄膜结晶最好,表面缺陷最少。通过不同衬底温度沉积Mo薄膜的分析,发现在较低衬底温度范围内(T200℃)沉积的薄膜结晶性相差不大。
电学性能方面,制备的Mo薄膜电阻率能达到10-5Ω·cm数量级,完全能满足CIGS太阳电池对BC层电性能的要求。衬底温度为100℃、沉积功率60W、工作气压0.1Pa沉积的薄膜电阻率最低,但是和溅射功率为80W和60W、工作气压为0.1Pa,衬底温度为室温沉积的薄膜相差不大。高的工作气压和低的沉积功率沉积的薄膜电阻率大能和最低的电阻率呈数量级的倍数关系；在较低衬底温度范围内(T200℃)沉积的电阻率变化不大。
【关键词】：
【学位授予单位】：西南交通大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2012【分类号】：TB43【目录】：
摘要6-7Abstract7-11第1章 绪论11-17 1.1 引言11-12 1.2 Mo的基本性质及应用12 1.3 Mo薄膜制备方法12-16
1.3.1 化学气相沉积13
1.3.2 光化学气相沉积13
1.3.3 等离子增强化学气相沉积13-14
1.3.4 脉冲激光沉积14
1.3.5 电子束蒸发14-15
1.3.6 离子束沉积15
1.3.7 磁控溅射15-16 1.4 本论文的意义、研究内容和创新点16-17第2章 薄膜的生长模式和薄膜性能表征17-24 2.1 薄膜生长模式与机理17 2.2 实验装置及应用分析17-21
2.2.1 四靶共溅磁控溅射装置18-19
2.2.2 影响磁控溅射沉积Mo薄膜质量的主要因素19-21 2.3 Mo薄膜制备前基底预处理方法21 2.4 结构与性能分析方法21-24
2.4.1 X射线衍射(XRD)分析21-23
2.4.2 扫描电镜(SEM)分析23
2.4.3 四探针测试分析23-24第3章 溅射工艺参数对Mo薄膜结构和性能的影响24-50 3.1 沉积时间25-29 3.2 工作气压29-33 3.3 工作气压优化33-39 3.4 溅射沉积功率39-44 3.5 衬底温度44-48 3.6 本章小结48-50结论50-51参考文献51-55致谢55-56攻读硕士期间发表的论文和科硏成果56
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